Что означает транзистор обратной проводимости?

Транзистор обратной проводимости — это электронное устройство, использующееся в электронике для управления и усиления электрического сигнала. Он является одним из ключевых элементов во многих современных устройствах, таких как компьютеры, телевизоры, мобильные телефоны и другое.

Транзистор обратной проводимости состоит из трех слоев полупроводникового материала. Два из них имеют тип «p» (от английского «positive») и один имеет тип «n» (от английского «negative»). Такая конфигурация создает два перехода P-N, которые называются базой и эмиттером. Заряженные частицы, называемые электронами и дырками, могут перемещаться через эти переходы по разным направлениям, что обеспечивает обратную проводимость.

Работа транзистора обратной проводимости основана на изменении проводимости в базе, что вызывает изменение тока в эмиттере. Когда на базу подается положительное напряжение, электроны и дырки перемещаются через переходы P-N, создавая ток эмиттера. Когда на базу подается отрицательное напряжение или напряжение равно нулю, электроны и дырки не перемещаются, и ток эмиттера отсутствует. Таким образом, транзистор обратной проводимости может быть использован для управления током или напряжением в электрической цепи.

Транзистор обратной проводимости имеет много преимуществ, таких как небольшой размер, низкое энергопотребление и высокая скорость переключения. Он является основой для создания различных устройств и электронных систем, и его значимость в современной технологии трудно переоценить.

В заключение, транзистор обратной проводимости — это электронное устройство, которое позволяет усиливать и контролировать электрический сигнал. Его работа основана на использовании электронных переходов и изменении проводимости полупроводникового материала. Этот небольшой элемент имеет огромное значение в современной электронике и используется во многих устройствах, которые мы используем в повседневной жизни.

Транзистор

Транзистор обратной проводимости (p-n-p или n-p-n) состоит из трех слоев полупроводникового материала (двух p-n переходов). Внутри транзистора присутствуют два pn-перехода: один переход между эмиттером и базой, а другой переход между базой и коллектором.

Работа транзистора обратной проводимости основана на изменении области обеднения между p- и n-областями перехода. При отсутствии внешнего электрического поля, p-n переходы находятся в равновесии и не пропускают электрический ток.

При подаче электрического сигнала на базу транзистора, изменяется область обеднения переходов, что приводит к формированию электрической проводимости между эмиттером и коллектором. Таким образом, ток, протекающий через базу, управляет током, протекающим между эмиттером и коллектором, что позволяет транзистору работать в качестве усилителя сигнала.

Также транзистор обратной проводимости может использоваться в качестве коммутационного элемента, когда управляющий ток через базу отсутствует или очень мал. В этом случае, транзистор переходит в выключенное состояние и не пропускает ток между эмиттером и коллектором.

Транзисторы обратной проводимости широко применяются в электронике, включая радиоприемники, усилители сигнала, различные цифровые и аналоговые устройства.

Обратная проводимость

Работа транзистора обратной проводимости основана на явлении туннелирования электронов. При достижении порогового напряжения вакуум в рабочей зоне транзистора сильно вытягивается, создавая некоторые вакуумные туннели с материалом подложки. Это позволяет электронам переходить из эмиттера в базу через подложку, обеспечивая обратную проводимость.

ОТР транзисторы обычно используются в различных электронных устройствах, в том числе в усилителях, инверторах и коммутационных цепях. Они обладают низкими потерями энергии и широким диапазоном рабочей частоты, что делает их идеальным выбором для многих приложений.

Таким образом, транзистор обратной проводимости является важным компонентом электроники, который позволяет осуществлять управление током и выполнять другие функции в различных электронных устройствах.